A. 非易失性存储器芯片

以下是存储器芯片及其类型的简要描述

• PROM：发音为 prom，是可编程只读存储器 (programmable read-only memory) 的首字母缩写词。PROM 是一种只能写入一次数据的存储器芯片。一旦程序被写入 PROM，它将永远保留在那里。与 RAM 不同，PROM 在计算机关闭时仍保留其内容。PROM 和 ROM（只读存储器）之间的区别在于，PROM 在制造时是空白存储器，而 ROM 在制造过程中被编程。要将数据写入 PROM 芯片，您需要一种称为 PROM 编程器或 PROM 烧录器的专用设备。编程 PROM 的过程有时称为烧录 PROM。EPROM（可擦除可编程只读存储器）是一种特殊类型的 PROM，可以通过暴露在紫外线下擦除。一旦被擦除，就可以重新编程。EEPROM 类似于 PROM，但仅需要电力即可擦除。

• EPROM：可擦除可编程只读存储器 (erasable programmable read-only memory) 的首字母缩写词，发音为 e-prom。EPROM 是一种特殊类型的存储器，它保留其内容，直到暴露在紫外线下。紫外线清除其内容，使其可以重新编程。要写入和擦除 EPROM，您需要一种称为 PROM 编程器或 PROM 烧录器的专用设备。EPROM 与 PROM 的不同之处在于，PROM 只能写入一次且无法擦除。EPROM 广泛用于个人计算机中，因为它们使制造商能够在计算机实际发货之前更改 PROM 的内容。这意味着可以在交付前不久删除错误并安装新版本。关于 EPROM 技术的说明：EPROM 的位是通过将具有升高电压的电子注入到场效应晶体管的浮栅中来编程的，其中需要 0 位。被困在那里的电子导致该晶体管导通，读作 0。为了擦除 EPROM，通过用紫外线辐射轰击芯片，使被困的电子获得足够的能量以逸出浮栅，紫外线辐射通过石英窗口照射。为了防止多年来因阳光和荧光灯引起的缓慢擦除，在正常使用中，此石英窗口被不透明标签覆盖。

• EEPROM：电可擦除可编程只读存储器 (electrically erasable programmable read-only memory) 的首字母缩写词。发音为 double-e-prom 或 e-e-prom，EEPROM 是一种特殊类型的 PROM，可以通过暴露于电荷来擦除。像其他类型的 PROM 一样，即使电源关闭，EEPROM 也保留其内容。也像其他类型的 ROM 一样，EEPROM 不如 RAM 快。EEPROM 类似于闪存（有时称为闪存 EEPROM）。主要区别在于 EEPROM 需要一次写入或擦除一个字节的数据，而闪存允许以块为单位写入或擦除数据。这使得闪存更快。

• FRAM：铁电随机存取存储器 (Ferroelectric Random Access Memory) 的缩写，是由 Ramtron International Corporation 开发的一种非易失性存储器。FRAM 结合了 DRAM 和 SRAM 的访问速度以及 ROM 的非易失性。由于其高速，它正在许多设备中取代 EEPROM。术语 FRAM 本身是 Ramtron 的商标。

• NVRAM：非易失性随机存取存储器 (Non-Volatile Random Access Memory) 的缩写，是一种在电源关闭时仍保留其内容的存储器类型。一种类型的 NVRAM 是 SRAM，它通过将其连接到恒定电源（例如电池）而变为非易失性。另一种类型的 NVRAM 使用 EEPROM 芯片来在电源关闭时保存其内容。在这种情况下，NVRAM 由 SRAM 和 EEPROM 芯片的组合组成。

• 磁泡存储器：一种非易失性存储器，由一层薄薄的材料组成，该材料只能在一个方向上轻松磁化。当将磁场施加到该物质的圆形区域（该区域未沿同一方向磁化）时，该区域会缩小为更小的圆形或磁泡。曾经普遍认为磁泡存储器将成为领先的存储器技术之一，但是这些承诺尚未实现。其他非易失性存储器类型（例如 EEPROM）比磁泡存储器更快且更便宜。

• 闪存：一种特殊类型的 EEPROM，可以按块而不是一次一个字节地擦除和重新编程。许多现代 PC 将其 BIOS 存储在闪存芯片上，以便在必要时可以轻松更新。这样的 BIOS 有时称为闪存 BIOS。闪存也在调制解调器中很流行，因为它使调制解调器制造商能够支持新的标准化协议。